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 99.6%氧化鋁陶瓷基板
99.6%氧化鋁陶瓷基板
◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
 氮化鋁基板
氮化鋁基板
◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
 99.6%氧化鋁陶瓷基板
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◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
 99.6%氧化鋁陶瓷基板
99.6%氧化鋁陶瓷基板
◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
 氮化鋁生瓷帶
氮化鋁生瓷帶
 氧化鋁白瓷
氧化鋁白瓷
 氧化鋁黑瓷
氧化鋁黑瓷
 氮化鋁基板
氮化鋁基板
◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
企業介紹
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Growth process

發展歷程

  • 2019年5月成立,注冊資金3032萬元
  • 2020年1月14日,裝修完成
  • 2020年6月,投產

 

新聞中心

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六方鈺成“9月”質量月活動圓滿完成

六方鈺成“9月”質量月活動圓滿完成

新聞中心 發布時間 : 2023-10-12 15:06:19
2023年六方鈺成“質量月”活動順利啟動

2023年六方鈺成“質量月”活動順利啟動

新聞中心 發布時間 : 2023-09-09 10:19:44
社會責任

技術支持

08-20

高純碳化硅粉體合成方法研究現狀綜述

碳化硅作為第三代半導體的代表材料之一,適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。
08-20

單層芯片電容的制備方法

單層芯片電容被廣泛應用于電子對抗、雷達和衛星通訊等方面,具有量大面廣的特點。
08-05

?輸入電壓檢測安全保護功能的前提下空載功耗仍然能夠小于30mW

采用BiCDMOS高耐壓工藝,在內置高邊MOSFET(非同步整流型*4)的非隔離型DC/DC轉換器IC中,實現了業內超高的80V耐壓等級,從而可以使安全工作范圍更寬?! ∨c同等輸出電流的普通產品相比,耐壓成功地提高了約20%,不僅在5G通信基站和服務器等的48V主電源系統中,而且在電池日益大型化的電動自行車和電動工具的60V電源系統中,都擁有足夠的余量應對突發性的浪涌電壓,因此有助于提高應用產品的

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發布時間:2020-12-07 18:30:37

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華南片區銷售經理: 18086848149(羅先生)

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